SK海力士加快HBM先进封装发展：引入英特尔EMIB，迎接3D封装时代

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【SK海力士加快HBM先进封装发展：引入英特尔EMIB，海力迎接3D封装时代】

(1) SK海力士正在为其下一代高带宽内存（HBM）解决方案引入英特尔的士加时代嵌入式多芯片互连桥（EMIB）技术，旨在最终实现3D封装的先进目标。

(2) 在2026年Hot Chips大会上，封装发展封装封装工程副总裁Jaesik Lee透露，引入英特B迎公司正在研究混合键合等新方法，海力目标是士加时代突破16层堆叠的限制，进一步提升HBM的先进容量和性能。

(3) 展望未来，封装发展封装SK海力士计划通过增加硅通孔（TSV）数量、引入英特B迎提高集成逻辑工艺的海力输入/输出速度，以及优化电源分配网络（PDN）来应对功耗挑战，士加时代推动HBM产品的先进持续进步。